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    浙东物理前沿讲坛第269讲:基于4H-SiC微沟槽结构的高效率中子探测器研究

    发布日期:2025-04-29 文章来源:物理科学与技术学院

    报告人:张莹 中国工程物理研究院 邀请人:闫海洋 报告时间:2025年4月14日(周一)上午10:00 报告地点:龙赛理科楼南楼414会议室 报告人简介: 张莹,博士,中国工程物理研究院电子工程研究所副研究员。长期从事粒子探测技术相关研究工作。主持国家自然科学基金项目2项,参研国家重点研发计划、国家自然科学基金以及广东省自然科学基金等项目10余项。目前已成功研制大面积高占空比SiC PiN阵列结构粒子探测器、高效率SiC微沟槽结构中子探测器以及高通量SiC电子探测器等多款器件,在某些场景得到初步应用验证。相关成果荣获军科委科技进步二等奖1项,发表SCI期刊论文20余篇,授权发明专利10余项。 报告摘要: 1)基于4H-SiC的中子探测器以其体积小巧、时间响应快、n/γ分辨强等优势引起广泛关注。但其探测效率低下,应用推广受到制约。团队通过对高效率4H-SiC中子探测器的关键问题研究,明确探测器沟槽参数对中子探测效率的影响规律;掌握高深宽比4H-SiC刻蚀技术,刻蚀深度超过50μm,深宽比≥5;掌握基于液相离心法的6LiF粉末填充技术,并最终完成4H-SiC微结构中子探测器的样机研制。经测试,初版中子探测效率达到3.28%。 2)微太中心微纳加工平台现有工艺能力介绍。 欢迎各位感兴趣的师生观摩、学习!

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